已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求Ucs=-1V时的漏极电流I
D和跨导gm。提示:对式(1.6.3)求导数,可得。
D和跨导gm。提示:对式(1.6.3)求导数,可得。
A.增强型PMOS,开启电压VTP=﹣2V
B.耗尽型PMOS,夹断电压VP=﹣2V
C.增强型NMOS管,开启电压VTP=﹣2V
D.耗尽型NMOS,夹断电压VTP=﹣10V
A.增强型NMOS,增强型PMOS
B.增强型NMOS,耗尽型PMOS
C.增强型PMOS,耗尽型NMOS
D.耗尽型PMOS,耗尽型NMOS
A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管
B.增强型NMOS工作管和耗尽型PMOS工作管
C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管
D.耗尽型PMOS管和增强型NMOS管
A.耗尽型PMOS管,夹断电压VP为2V
B.P沟JFET管,夹断电压VP为2V
C.N沟JFET管,夹断电压VP为2V
D.增强型NMOS管,开启电压为2V
A.增强型NMOS管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.耗尽型PMOS管
A.N-JFET,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA
B.P-JFET,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA
C.耗尽型NMOS,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA
D.耗尽型PMOS,夹断电压Vp是 4.5V ,饱和漏电流IDSS是 5.4mA
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