![](https://lstatic.shangxueba.com/jiandati/pc/images/pc_jdt_tittleico.png)
提问人:网友曾深鑫
发布时间:2022-01-07
[单选题]
下列关于能带结构的说法中,错误的是()。
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
![](https://lstatic.shangxueba.com/jiandati/pc/images/jdt_q_ckda.png)
![](https://lstatic.shangxueba.com/jiandati/pc/images/jdt_panel_vip.png)
查看官方参考答案
![](https://lstatic.shangxueba.com/jiandati/pc/images/jdt_q_wyda.png)
共位网友提供了参考答案,
查看全部
- · 有3位网友选择 A,占比30%
- · 有3位网友选择 C,占比30%
- · 有2位网友选择 D,占比20%
- · 有2位网友选择 B,占比20%