下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
- · 有3位网友选择 C,占比33.33%
- · 有3位网友选择 B,占比33.33%
- · 有2位网友选择 D,占比22.22%
- · 有1位网友选择 A,占比11.11%
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
A、发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
B、发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
C、发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
D、发射区过高掺杂易诱发基区穿通
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D.考虑发射效率公式,放大系数减小
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高
C、俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大
D、考虑发射效率公式,放大系数减小
A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区
A.发射区的掺杂浓度比基区要低
B.集电结面积可大可小,对三极管无影响
C.发射区掺杂浓度可大可小,对三极管无影响
D.发射区、基区、集电区中,发射区掺杂浓度要最高
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