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提问人：网友ligang103161 发布时间：2022-01-06
[单选题]

题3-2-8 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

A.MOS器件源漏精确掺杂

B.形成浅结

C.调节MOS器件阈值电压

D.形成互连

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第1题

A、4脚

B、3脚

C、2脚

D、5脚

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第2题
下列关于集成电路的说法中错误的是()
A．集成电路是现代信息产业的基础之一

B．集成电路大多在硅衬底上制作而成

C．集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸无关

D．集成电路的特点是体积小、重量轻、可靠性高

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第3题
求题图2-8电路中的U。

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第4题
题3-2-9 以下不是化学气相沉积工艺所能完成的是 。

A、沉积多层布线中金属层之间的绝缘层

B、器件隔离结构

C、MOS晶体管的栅极介质层

D、防止杂质外扩的覆盖层以及钝化层

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第5题
题3-2-10 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是 。

A、台阶覆盖特性

B、薄膜致密性

C、薄膜厚度均匀性

D、薄膜宽度

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第6题
题3-2-11 以下是物理气相沉积工艺的是 。

A、真空蒸发

B、LPCVD

C、PECVD

D、MOCVD

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第7题
题3-2-12 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是 。

A、设备简单，操作容易

B、所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快

C、生长机理简单

D、工艺重复性不够理想

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第8题
题3-3-1 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。

A、热氧化

B、CVD

C、PVD

D、热扩散

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第9题
题3-3-2 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是： 。

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

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第10题
题3-3-3 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。

A、元器件的组成部分（如栅氧化层）

B、源漏极

C、互连层间绝缘介质

D、作为掩蔽膜

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