关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响,下列说法中正确的是()。
A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
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A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大
B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
B.反应前后各元素的原子总数必须相等
C.在氧化还原反应中,氧化剂和还原剂可以不同时存在
D.当一种元素有多种化合态时,具有中间氧化数的化合物既可作氧化剂也可做还原剂
B.在GB/T642―86中,重铬酸钾是用硫酸亚铁铵法测定
C.在GB/T6684―86中,30%双氧水是用高锰酸钾法测定
D.在GB/T1281―93中,液溴是用间接碘量法测定
B.?-Al2O3在1100℃以上温度不可逆地转变为γ-Al2O3
C.γ-Al2O3是氧化铝结晶态中最稳定的晶型
D.?-Al2O3不能用于结构陶瓷中
B、惠特尼·查德威克(WhitneyChadwick)
C、朱迪·芝加哥(JudyChicago)
D、琳达·诺克林(LindaNochlin)
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