题目内容
（请给出正确答案）
A.使GTR截止。
B.防止GTR导通时的过饱和。
C.防止GTR导通。
D.防止GTR导通时处于欠饱和状态。
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A、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的，不需要采取措施进行保护。
C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
D、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。
A、如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器，则不需要其它过电流保护措施。
B、对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。
C、快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
D、快速熔断器仅用于短路保护。
A、缓冲电路又称吸收电路，目的是吸收电力电子器件的热量。
B、缓冲电路又称吸收电路，目的是使器件的开关速度变为缓慢。
C、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
D、缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。
A、di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。
B、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
C、关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。
D、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。
A、晶闸管串联使用时，仅需要采取静态均压措施即可。
B、晶闸管串联均压措施就是选择动态参数和特性尽量一致的器件即可。
C、晶闸管串联使用时，需要采取静态均压措施和动态均压措施。
D、晶闸管串联使用时，仅需要采取动态均压措施即可。
A、型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B、型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C、型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D、型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
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