题目内容
（请给出正确答案）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
参考答案
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A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A.本征半导体呈电中性,杂质半导体呈电性
B.本征半导体和杂质半导体均呈电中性
C.硅材料的温度特性比锗材料好,因为其禁带宽度较大
D.锗材料的温度特性比硅材料好,因为其禁带宽度较小
一个p型半导体，受主密度NA=1.04×1016/cm3，该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV，电子亲和势χ=3.4eV，在室温下测得它的功函数W=3.9eV，求此时这块半导体的表面势VS=？设室温下价带有效状态密度Nv=1.04×1019/cm3。
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