题目内容
（请给出正确答案）
A.二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结
B.二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结
C.二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿
D.二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
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B、气相热媒总管压力低，对预缩聚釜影响最大
C、气相热媒总管压力低，对酯化釜影响最大
D、气相热媒总管压力低，对反应釜没有太大影响
B、工作在甲类状态的功率放大器，无信号输入时无功率损耗
C、工作在乙类状态的功率放大器，无信号输入时有功率损耗
D、工作在甲乙类状态的功率放大器，无信号输入时无功率损耗
B.651跟678表示不种故障的提示代码
C.错误678表示远程计算机没有响应
D.处理分光器主干光纤断裂的故障时需重绑端口才能恢复业务
B.占用一定数量的内存，是多线程的。
C.是执行在单一Java虚拟机中的WeblogiServer的实例。
D.以上全是。
A、二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应
B、二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应
C、二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应
D、二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
A、激发和复合是两个相反的物理过程
B、杂质半导体中有两种不同的激发形式，即本征激发和掺杂激发，其中掺杂激发是主要的激发形式
C、杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
D、N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的
A、一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容
B、硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流
C、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
D、二极管具有单向导电性，因此希望反向电流越小越好
A、在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
B、由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
C、PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D、因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
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