下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是 (A) 4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小; (B)
下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是
(A) 4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小;
(B) 当主量子数n和核电荷数z相同的两个电子,σ值越大,电子的能量就越低;
(C) 主量子数n相同,角量子数l愈大,电子的屏蔽作用增大;
(D) 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,σ值也愈大。
下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是
(A) 4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小;
(B) 当主量子数n和核电荷数z相同的两个电子,σ值越大,电子的能量就越低;
(C) 主量子数n相同,角量子数l愈大,电子的屏蔽作用增大;
(D) 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,σ值也愈大。
A.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区;
B.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;
C.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;
D.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区。
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