在什么条件下,金属和半导体接触形成电子阻挡层?()
A.金属和n型半导体接触,Wm>Ws
B.金属和n型半导体接触,Wm<Ws
C.金属和p型半导体接触,Wm>Ws
D.金属和p型半导体接触,Wm<Ws
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D.金属和p型半导体接触,Wm <ws>
A.金属和重掺杂的半导体接触,使得半导体一侧的势垒很薄,电子的输运主要以隧道效应为主,形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
A.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
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A.金属和重掺杂的半导体接触,使得半导体一侧的势垒很薄,电子的输运主要以隧道效应为主,形成欧姆接触
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