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提问人：网友hantuotuo
发布时间：2022-01-07
[主观题]
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S£¯λ2X2，反射波的声压与缺
设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2，反射波的声压与缺陷面积S成()比，同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N，当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。
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，则二者的大小关系是：
准静态绝热压缩至体积为
，其熵（）
