题目内容
（请给出正确答案）
A.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。
B.N沟道增强型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。
C.结型场效应管，栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。
D.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。
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A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道耗尽型MOS管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。
(1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。
(3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。
(5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。
A、-2.4V
B、-2.6V
C、-2.8V
D、-3.0V
下图所示电路，下列描述正确的是（ ）。
A、甲类功率放大电路，有交越失真。
B、乙类功率放大电路，有交越失真。
C、甲类功率放大电路，无交越失真。
D、甲乙类功率放大电路，输出信号波形很完美。
A、放大用的两个三极管工作在放大区的正中间；
B、放大用的两个三极管工作在放大区靠近截止的位置；
C、两个三极管同时是PNP或者同时是NPN管；
D、输出波形有交越失真，效率比甲类功率放大电路高。
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