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提问人：网友Dume2021 发布时间：2022-01-07

[单选题]

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？（)

A.多子积累

B.少子积累

C.多子耗尽

D.少子反型

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第1题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()

A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

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第2题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()

A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

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第3题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()

A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

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第4题

对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()

A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

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第5题

垂直于理想导体表面的是，平行于理想导磁体表面的是。...

垂直于理想导体表面的是，平行于理想导磁体表面的是。

A、电力线，磁力线

B、电力线，电力线

C、磁力线，电力线

D、磁力线，磁力线

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第6题

β-甲氧基丙烯酸甲酯类杀菌剂具有哪些突出的优点？

A、杀菌谱广

B、高效低毒

C、与现有杀菌剂无交互抗性

D、价格低廉，使用成本低

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第7题

下列哪一条不是化学防治的优点

A、杀虫谱广

B、作用快

C、防治效果好

D、不污染环境

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第8题

理想的功率半导体器件应该是能承受（）、大电流的器件。...

理想的功率半导体器件应该是能承受（）、大电流的器件。

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第9题

随着工艺水平的进步,在超高真空中劈裂可以得到具有理想表面的半导体器件。()

此题为判断题(对，错)。

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