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提问人：网友18***469 发布时间：2022-01-07

[主观题]

综述金属的均匀形核过程：（1)证明临界晶核半径r_k=2σ/△Gv; （2)证明r_k=2σ/Lm△T：（3)证明临界形核功△G_k=Skσ/3：（4)均匀形核的条件是什么？（5)过冷度对形核率N有何影响？

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第1题

均匀形核时，体系能量变化包括

A、液固体积自由能差

B、新增的晶核表面能

C、液/固相之间的应力场

D、固体中的晶体缺陷能

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第2题

两个同轴的圆柱面，长度均为l，半径分别为R₁和R₂(R₂>R₁),且l>>R₂-R₁, 两柱面之间充有介电常数ε的均匀电介质。当两圆柱面分别带等量异号电荷Q和-Q时，求:

(1)在半径r处R₁<r<R₂=.厚度为dr,长为l的圆柱薄壳中任一点的电场能量密度和整个薄壳中的电场能量

(2)电介质中的总电场能量

(3)圆柱形电容器的电容

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第3题

有关于均匀形核的形核功的叙述中,错误的是()

A．形成临界晶核时,体积自由能的下降只补偿了表面能的2/3,还有1/3的表面能没有得到补偿,需要另外供给,即需要对形核做功,故称ΔGK为形核功。

B．形核功是过冷液体形核时的主要障碍,过冷液体需要一段孕育期才开始结晶的原因正在于此。

C．若晶胚的半径大于r0,液、固两相体积自由能差值大于晶胚的表面能,驱动力大于阻力,晶胚就可以转变成为稳定晶核,而不再需要外界提供能量了。

D．过冷液相中的相起伏和结构起伏是形核的基础,任何一个晶核都是这两种起伏的共同产物。

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第4题

因柱形电容器内、外导体截面半径分别为R₁和R₂(R₁<R₂),中间充满介电常数为ε的电介质.当两极板间的电压随时间的变化

时(k为常数)，求介质内距圆柱轴线为r处的位移电流密度.

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第5题

在图所示的等径长直管流中，M-M为过流断面，1、2点在M-M上，N-N为水平面，3、4点在N-N上，则有（）

A、

B、

C、

D、

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第6题

为正多边形A₁A₂... A_n的中心，P是任意一点。证明:

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第7题

设,试用指数形式表示z₁z₂及z₁/z₂.

设

,试用指数形式表示z₁z₂及z₁/z₂.

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第8题

球形电容器的内、外半径分别为R₁和R₂，如图4.14所示，电容器下半部充有介电常量为ε的均匀各向同性介质，求此电容器的电容

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第9题

指出直流电机中以下哪些量方向不变,哪些量是交变的:(1)励磁电流;(2) 电枢电流;(3)电枢感应电动势;(4)电枢元件感应电动势;(5)电枢导条中的电流;(6)主磁极中的磁通;(7)电枢铁心中的磁通。

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