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提问人：网友154336271
发布时间：2022-10-13
[判断题]
芯片显微镜目检：华芯芯片P面朝下，JDSU的芯片N朝下（）
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A.朝上
B.朝下
C.二者皆可
D.无特定要求
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第2题
以下说法正确的有（)。
A.更换吸嘴后的首条产品，作业员送高倍检验员按照控制计划要求进行检验(一条产品的左中右区域各检3颗)，确认合格后在《上芯高倍显微镜检验记录》上盖合格章
B.高倍检验时如发现吸嘴有破裂或沾污情况，应反馈工程人员
C.上芯过程中如修改设备顶针参数，不需确认芯片背面顶针痕迹
第6题
上芯机生产的产品单个空洞面积()芯片面积为不良;合计空洞面积()芯片面积为不良;
上芯机生产的产品单个空洞面积（)芯片面积为不良;合计空洞面积（)芯片面积为不良;
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A、>3%>5%
B、>3%>10%
C、>5%>10%
D、>5%>15%
第7题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
第8题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（)。
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次
B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
第9题
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有()
关于上芯顶针痕迹监控项目，描述正确的有（)
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A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
第10题
下列 关于电子控制点火系统故障诊断注意事项表述不对的是 （）
A.点火开关接通时，不可插拔集成电路芯片
B.故障检测时，应使用高阻抗的检测仪表
C.用搭铁试火或拆线试火的方法对电路进行检查
D.检测ECU或更换芯片时，操作人员应将身体接地
