如图所示的双译码结构SRAM存储器中,以下说法不正确的是()
A.该存储器每次只能读写存储矩阵中一个存储元
B.当对存储元(1,1,)进行读写时,地址A11-A0的值为0x041
C.存储矩阵的每一列共用一对T7,T8管,用于进行列译码选通控制
D.存储矩阵的每一列的每一个存储元都有一对T7,T8管,用于进行列译码选通控制
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A.该存储器每次只能读写存储矩阵中一个存储元
B.当对存储元(1,1,)进行读写时,地址A11-A0的值为0x041
C.存储矩阵的每一列共用一对T7,T8管,用于进行列译码选通控制
D.存储矩阵的每一列的每一个存储元都有一对T7,T8管,用于进行列译码选通控制
A、MAR 和MDR
B、地址总线、数据总线
C、驱动器、译码器、读写电路
D、图中所有器件
下图为基于专用通路的 CPU结构围绕该图的下列描述中,正确的是( )(多选)
A、取指令的数据通路为 PC-> 指令寄存器
B、完成PC 增量操作的数据通路为: PC-> PC+1 部件-> PCBranch ->MUX1->PC
C、由于使用了专题通路结构和多路选择器,所有功能部件的输出将不再有数据冲突
D、图中PC 既是指令地址寄存器也是数据地址寄存器
双积分型A/D转换电路中积分器的输出波形如下图所示,如果输出波形产生如虚线所示的变化,试分析其产生的原因是 。
A、积分时间常数RC 增大
B、输入电压增加
C、基准电压值增加
D、时钟频率增大
A、动态存储器的刷新按行进行
B、该动态存储器的刷新地址计数器的模为2^8
C、该动态存储单体的数据线和地址线之和为16
D、该刷新地址计数器在2ms内必须进行一轮计数循环
A. 电流互感器、三绕组变压器、电压互感器
B. 双绕组变压器、分裂变压器、电抗器
C. 电抗器、分裂变压器、消弧线圈
D. 双绕组变压器、三绕组变压器、自耦变压器
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