题目内容
（请给出正确答案）
A、A. N沟道 耗尽型
B、B. P沟道 增强型
C、C.P沟道 耗尽型
D、D. N沟道 增强型
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A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V
B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V
C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V
D、为P沟道结型场效应管，Up=1V
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
A、P沟道结型管
B、N沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
A、0.83mS
B、1.2mS
C、2 mS
D、-1.2 mS
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