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更多“N沟道增强型MOSFET的VGS的作用是形成导电沟道,VDS的作用是使沟道内载流子产生定向移动和产生沟道夹断（）”相关的问题
A.N沟道增强型MOSFET
B.N沟道耗尽型MOSFET
C.P沟道增强型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
A.N沟道增强型MOSFET
B.N沟道耗尽型MOSFET
C.N沟道结型FET
D.P沟道增强型MOSFET
E.P沟道耗尽型MOSFET
F.P沟道结型FET
N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的______形成的，增强型管子的含义是______。
A.VGS＞ VGS(th)，VDS＞ VGS - VGS(th)
B.VGS＞ VGS(th)，VDS ＜ VGS - VGS(th)
C.VGS ＜ VGS(th)，VDS ＞ VGS - VGS(th)
D.VGS ＜vgs(th)，vds＞ ＜ VGS - VGS(th)
A.可调电阻区的电压范围为VDS＜vgs-vth＞
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系
D.VGS越大，沟道电阻越大
A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
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