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提问人：网友xiaobingzhuo
发布时间：2022-01-07
[主观题]
增强型NMOS管只有加入足够大的[图]时才形成导电沟道。...
增强型NMOS管只有加入足够大的![增强型NMOS管只有加入足够大的[图]时才形成导电沟道。...增强型NMOS管只有加入足够大的时才形](http://static.jiandati.com/1ae686b-chaoxing2016-904330.png)
时才形成导电沟道。
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第5题
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第6题
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A.P沟道结型管
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D.耗尽型NMOS管
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第9题
N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS
N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的______形成的，增强型管子的含义是______。
