题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友lixin080108
发布时间:2022-02-06
[主观题]
MCT与GTR、MOSFET、IGBT和Gto等器件相比具有哪些优点?
简答题官方参考答案
(由简答题聘请的专业题库老师提供的解答)
1)电压电流容量大(阻断电压3KV、峰值电流1KA.
2)通态压降小(约1.1V,仅是IGBT的1/3)
3)对电流、电压的变化速率耐量高。
4)开关速度快损耗小、开通时间200ns,千伏关断时间小于2S
5)工作温度高(受限于反向漏电流,上限可达250°C270°C.
6)关断失效时不损坏器件。但电压不允许超过其工作范围。
2)通态压降小(约1.1V,仅是IGBT的1/3)
3)对电流、电压的变化速率耐量高。
4)开关速度快损耗小、开通时间200ns,千伏关断时间小于2S
5)工作温度高(受限于反向漏电流,上限可达250°C270°C.
6)关断失效时不损坏器件。但电压不允许超过其工作范围。