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A.
B.
C.
D.
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更多“假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。”相关的问题
A、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效电容减小p倍
B、由高抽头向低抽头转换时，等效电流源减小p倍
C、由低抽头向高抽头转换时，信号源内阻的等效电阻提高
倍
D、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效容抗提高倍
E、由低抽头向高抽头转换时，负载电阻的等效电阻提高倍
F、由低抽头向高抽头转换时，等效电压提高1/p倍
A、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效电容减小为p倍
B、由高抽头向低抽头转换时，等效电流源减小为p倍
C、由低抽头向高抽头转换时，信号源内阻的等效电阻提高为
倍
D、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效容抗提高为倍
E、由低抽头向高抽头转换时，负载电阻的等效电阻提高为倍
F、由低抽头向高抽头转换时，等效电压提高为1/p倍
CMOS反相器的电路如图2.3.2所示，反相器的输出端接有负载电容CL，已知VDD=10V，静态电流IDO=1μA，CL=60pF，输入信号为理想的矩形波，
A、由低抽头向高抽头转换时，信号源内阻的等效电阻提高为
倍
B、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效容抗提高为倍
C、由低抽头向高抽头转换时，负载电阻的等效电阻提高为倍
D、由低抽头向高抽头转换时，等效电压提高为
倍
E、抽头接入系数p的数值小于等于1
F、抽头接入系数等于抽头点电压与端电压之比
G、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效电容减小为p倍
H、由高抽头向低抽头转换时，等效电流源减小为p倍
I、由低抽头向高抽头转换时，等效阻抗变小
A、由低抽头向高抽头转换时，信号源内阻的等效电阻提高为
倍
B、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效容抗提高为倍
C、由低抽头向高抽头转换时，负载电阻的等效电阻提高为倍
D、由低抽头向高抽头转换时，等效电压提高为
倍
E、抽头接入系数p的数值小于等于1
F、抽头接入系数等于抽头点电压与端电压之比
G、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效电容减小为p倍
H、由高抽头向低抽头转换时，等效电流源减小为p倍
I、由低抽头向高抽头转换时，等效阻抗变小
A、由高抽头向低抽头转换时，等效电流源减小为p倍
B、由低抽头向高抽头转换时，信号源内阻的等效电阻提高为
倍
C、由低抽头向高抽头转换时，负载电容的等效容抗提高为倍
D、由低抽头向高抽头转换时，等效电压提高为1/p倍
转炉脱碳速度的变化规律是由于()。
A.铁水碳含量由高变低，所以脱碳速度也由高变低
B.炉内温度和碳含量的变化，其脱碳速度是低至高至低变化
C.熔池温度由低至高，碳氧是放热反应，故脱碳速度由高至低
D.铁水碳含量由高变低，而脱碳速度由低至高
治疗面神经痉挛时注射无水乙醇浓度应采用()。
A、由低至高
B、低浓度
C、高浓度
D、中等浓度
E、由高至低
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