绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和()的优点集于一身。
A.GTO
B. GTR
C. 二极管
D. GBT
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A.GTO
B. GTR
C. 二极管
D. GBT
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR快。
D.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。
A.MOSFET功率场效应管
B. IGBT绝缘栅双极晶体管
C. GTR晶闸管
D. BJT双极型晶体管
A.驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B.主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C.通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D.高耐压的同时也具有很小的通态压降
E.可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F.关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
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