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提问人：网友y97523
发布时间：2022-01-06
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用霍尔片测量磁场时，应采用恒流供电方式。
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第4题
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2x10^21个m,电阻率是1.6x10^－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是axbxc=0.5cmx0.2cmx0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm究度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
第6题
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m3，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成
霍尔探头以掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×10 21 个/m 3 ，电阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度
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第8题
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m。，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成
霍尔探头以掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×10 21 个/m。，电阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1v的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度
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第9题
选择题：（每题10 分，总分100分，单选多选少选不给分） 1....
选择题：（每题10 分，总分100分，单选多选少选不给分） 1. 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为 。 A.压电效应 B.涡流效应 C.霍尔效应 D. 应变效应 2. 只有 适于作霍尔元件，其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 A.金属材料 B. 半导体材料 C. 绝缘材料 D. 高分子才熬 3. 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等，这些材料不但有较大霍尔系数RH ，而且有较好的线性度，其中 的RH较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 A. N型锗 B. N型硅 C. 锑化铟 D. 砷化铟 4. 使霍尔传感器处于非均匀磁场中，其输出正比于磁感应强度，因此，对凡是能转换为 变化的量都能进行测量，如位移、角度、转速和加速度等。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 5. 霍尔传感器输出值正比于 ，它可以用于乘法、功率等方面的计算与测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 6. 磁场特性不变，传感器输出值正比于 ，凡能转换为电流变化的量，均能进行测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 7.当霍尔元件的控制电流为IN时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为（） 电势。 A.寄生直流电势 B.寄生感应电势 C.霍尔电势 D.不等位电势 8. 霍尔传感器中由于不等位电势由不等位电阻产生，因而可以采用（）进行补偿。 A. 电阻值较大的桥臂上并联电阻 B. 在两相邻桥臂上串联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。 C. 电阻值较大的桥臂上串联电阻 D. 在两相邻桥臂上并联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。 9 .霍尔传感器温度误差的补偿措施有（） A. 选择温度系数小的霍尔元件 B. 采取恒温措施 C. 采用恒流源供电 D. 电路中用一个分流电阻rT与霍尔元件的控制电极相串联 10. 由于霍尔传感器具有体积小、成本低、灵敏度高、性能可靠、频率响应宽、动态范围大的特点，并可采用集成电路工艺，因此被广泛用于、、、振动等方面的测量。() A. 电磁测量 B压力 C. 成份和浓度 D. 加速度
