受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。

A.对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和

B.对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量

C.对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差

D.对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差

A、材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。

B、导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。

C、价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。

D、无

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D.导带中的电子服从费米分布函数

E.价带中的空穴服从费米分布函数

F.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

A.导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B.价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D.导带中的电子服从费米分布函数

E.价带中的空穴服从费米分布函数

F.费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

A.价带多于禁带

B.导带多于价带

C.价带多于导带

D.导带多于禁带

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数

B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数

C.费米能级距离带边（导带底或价带顶）很近，甚至进入导带或价带

D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T