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提问人:网友xia2020 发布时间:2022-01-07
[多选题]

下列关于RAM和ROM的叙述中,正确的是()

A.RAM是易失性存储器,ROM是非失性存储器

B.RAM和ROM都采用随机存取的方式进行访问

C.Cache可选RAM、ROM做数据存储体

D.ROM和RAM都不需要刷新

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更多“下列关于RAM和ROM的叙述中,正确的是()”相关的问题
第1题
下列有关RAM和ROM的叙述中, 正确的是( )。

A、RAM是易失性存储器,ROM是非易失性存储器

B、RAM和ROM都采用随机存储方式进行信息访问

C、RAM和ROM都可用作cache

D、RAM和ROM都需要刷新

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第2题
不需要定时刷新的半导体存储器芯片是

A、SRAM

B、DRAM

C、EPROM

D、Flash Memory

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第3题
DRAM比SRAM慢,可能的原因包括

A、DRAM需要刷新

B、DRAM存储体行列地址线复用

C、DRAM读之前需要预充电

D、DRAM存储单元采用了双译码结构

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第4题
全部使用4片32K*8位的SRAM存储芯片,可设计的存储器有

A、128K* 8位

B、32K* 32位

C、64K* 16位

D、128K* 16位

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第5题
符合存储体系构建思想的是

A、时间局部性

B、空间局部性

C、编程采用顺序结构

D、编程采用分支结构

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第6题
设A=0x123456,计算机内存地址为由低到高。则采用小端方式下,最高地址存放的内容为(只填写2位阿拉伯数字)
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第7题
一个4体并行低位交叉存储器,每个模块的容量是64K×32位,存取周期为200ns,假定四个存储可以连续访问,以下说法中,( )是正确的。(单选)

A、在连续工作一段时间后,200ns内储器向CPU提供256位二进制信息

B、连续工作一段时间后,200ns内存储器向CPU提供128位二进制信息

C、在连续工作一段时间后,200ns存储器向CPU提供32位二进制信息

D、以上答案都不正确

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第8题
下列关于多体交叉存储器的描述中,正确的是 ( )(多选)

A、通过并行访问提高存储系统的访问速率

B、通过增加数据总线的位数提高存储系统访问速率

C、通过提高存储单体的速率提高存储系统的访问速率

D、实现对不同存储单体数据的并行访问对数据的分布有要求

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第9题
为了通过交叉访问提高存储系的访问速率,必须满足下列条件 ( )(多选)

A、采用低位地址交叉

B、采用高位地址交叉

C、满足局部性原理

D、采用最优调度算法

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第10题
下图为能实现并行访问的多体交叉存储系统示意图。 [图]...

下图为能实现并行访问的多体交叉存储系统示意图。设存储单体的存储周期为T1、存储系统的周期为T2、总线的传输周期为 t . 下列描述中正确的是 ( )(多选)

A、是高位多体交叉

B、是低位多体交叉

C、T1=T2

D、CPU连续并行访问m个字的总时间为 T1 + (m -1)t

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