题目内容
（请给出正确答案）
A.其正向开启电压为0.6～0.7伏
B.其反向饱和电流较小，但随温升高而加大
C.其正向导通电阻陡，工作点电流加大而减小
D.其正向导通的交流电阻与直流电阻相等
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A.让静电通过一个低阻抗并联通道进行放电，同时将ESD电压钳制在一个足够低的电平，避免硅/金属互连线烧毁或者栅氧化层击穿
B.ESD引起芯片失效是由于瞬态高电流所产生的局部高热量引起硅半导体材料或者金属互连线烧毁和ESD放电过程产生的高电压使得芯片上的栅氧化层击穿。
C.输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构，还可利用PN结的击穿特性
D.反向偏置的二极管可以作为ESD防护器件，正向偏置的二极管不行
A.稳压管工作在反向特性区
B.常温下本征半导体几乎完全不导电
C.锗二极管的开启电压比硅二极管低
D.二极管方程不仅适用于描述二极管的正向特性，也适用于描述其反向特性
A.空穴是多数载流子
B. 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C. 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D. 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
A.只存在一种载流子：自由电子
B. 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C. 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体
D. 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
A.半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C.常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
A.半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C.常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E.常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F.常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
A.光电池时基于光生伏特效应制成的，时自发电势有源器件，其中硅电池应用最广泛
B.光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，具有很高的灵敏度
C.光敏二极管的结构与普通半导体二极管类似，一般工作与反向偏置状态
D.入射光高于红限频率，如果光线比较微弱就不会又光电子发射出来。
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