题目内容
（请给出正确答案）
提问人：网友90000013
发布时间：2024-04-08
[单选题]
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是以下哪项（）
A.硒鼓检测器
B.IP成像转换器
C.直接转换平板探测器
D.间接转换平板探测器
E.多丝正比室检测器
参考答案
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是
A、硒鼓检测器
B、IP成像转换器
C、直接转换平板探测器
D、间接转换平板探测器
E、多丝正比室检测器
网友您好，请在下方输入框内输入要搜索的题目：
搜题
题目内容
（请给出正确答案）
参考答案
更多“应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是以下哪项（）”相关的问题
第2题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是
A.砸鼓检测器
B.IP成像转换器
C.直接转换平板探测器
D.间接转换平板探测器
E.多丝正比室检测器
第4题
FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A、薄膜晶体管技术B、光敏照相机技术C、光电倍
FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是
A、薄膜晶体管技术
B、光敏照相机技术
C、光电倍增管技术
D、光激励发光技术
E、非晶硒技术
第5题
非晶硒平板探测器中，构成探测原件的是（)。A.电容和电荷放大器B.电容和光电导体材料C.电容和薄膜
非晶硒平板探测器中，构成探测原件的是()。
A.电容和电荷放大器
B.电容和光电导体材料
C.电容和薄膜晶体管
D.光电导体材料和电荷放大器
E.光电导体材料和薄膜晶体管
第7题
属于DR成像直接转换方式的部件是A．闪烁体+CCD摄像机阵列B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测
属于DR成像直接转换方式的部件是
A．闪烁体+CCD摄像机阵列
B．非晶硒平板探测器
C．碘化铯+非晶硅探测器
D．半导体狭缝线阵探测器
E．多丝正比电离室
第8题
下列关于DR的叙述正确的是（)。
A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒，是一种半导体探测器
B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成
C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号
D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数
E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体，在X线照射下会有导电现象，且导电率随X线强度的增加而增加
考试指南
全部 >
