自给偏压电路的源极电阻Rs的选择范围通常比分压式偏置结构要大。

A.分压式偏置电路；

B.漏极反馈偏置电路；

C.自给偏压式偏置电路；

D.源极偏置电路；

结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路()

在教材图15.9.10所示的自给偏压偏置电路中，电阻R_G起何作用？如果在R_G=0(短路)和R_G=∞(开路)两种情况下，则后果如何？在教材图15.9.11所示的分压式偏置电路中，R_G又起何作用？

A.栅极分压电阻Rg

B.直流偏置电压

C.跨导gm

D.源极电阻Rs

采用自给偏置的耗尽型NMOS管共源放大电路，已知U_DD=18V，R_D=30kΩ，R_S=1kΩ，静态栅源电压U_GS=-0.2V。求静态时的I_D和U_DS。

A.基极分压式射极偏置电路的静态工作点比基本共射电路更稳定

B.射极偏置共射极电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更小

C.基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的电压增益绝对值比基本共射电路的电压增益绝对值更大

D.基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较大

E.基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小

F.基极分压式射极偏置电路（无旁路电容）中的Ri，因为射极偏置电阻的存在，比较小G、射极偏置共射极电路（无旁路电容）的Ro相比基本共射电路的Ro不变

结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式，即自偏压式和栅极分压式()

分压式偏置放大电路中，三极管的基极偏置电压的值与（）。

A、三极管的参数有关

B、射极电阻有关

C、集电极电阻有关

D、偏置电阻、及电源电压有关