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（请给出正确答案）
提问人：网友jt_zhj
发布时间：2022-01-07
[主观题]
n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。
A、此时满足条件
B、沟道夹断点从源端向漏端移动
C、沟道夹断点电压为
D、沟道夹断区为耗尽区
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第2题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。
A、VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
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B、VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C、VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D、VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
第5题
以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。
A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加
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B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
第7题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
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B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大
第10题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U...
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。
A. 1mA/V
B. 0.5mA/V
C. -1mA/V
D. -0.5mA/V
