题目内容
（请给出正确答案）
A.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C.典型输出特性分三个区：截止区、线性区和非饱和区。
D.典型输出特性分三个区：截止区、非线性区和饱和区。
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A、虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B、GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C、GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D、GTR的安全工作区是矩形的。
A、当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B、当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D、当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
A、MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B、MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C、MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
D、MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区以及放大区。
A、MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B、MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C、MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
D、MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
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大，说明其 。
