题目内容
（请给出正确答案）
A.10-2～1Ωmm/m
B. 10～1012Ωmm/m
C. 1013～1024Ωmm/m
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电阻率是指在环境温度为20℃，截面积为1平方毫米，长为1米的一根导体所具有的()，电阻率用()表示，单位是()。
如图10-2所示，一半径为R1的导体球A带有电荷e,球外有一内外半径分别为R2和R3的同心导体球壳B。A与B之间充以相对电容率为，的电介质。试求:
(1)球体内外场强分布。
(2)导体球A电势。
(3)介质层中的电场能量。
A．8．86mA
B．7．02μA
C．3．51μA
D．1．76mA
一圆柱形导体，长为l，半径为a, 电阻率为P通有电流1 (图16-4)而表面无电荷，证明:
(1)在这导体表面上，坡印亭矢量处处都与表面匪直并指向导体内部，如图所示，(注意:导体表面外紧邻处电场与导体内电场的方向和大小都相同。)
(2)坡印亭矢量对整个导体表面的积分等于导体内产生的焦耳热的功率，即
式中dA表示圆柱体表而的面积元，R为圆柱体的电阻。此武表明，按照电磁场的观点，导体内以焦耳热的形式消耗的能量并不是由电流带入的，而是通过导体周围的电磁场输入的。
掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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