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提问人:网友lixin080108
发布时间:2022-01-07
[单选题]
硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V
A.0.3
B.0.7
C.1
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A.0.3
B.0.7
C.1
A.0.5
B.0.7
C.0.1
D.0.2
A.二极管加正向电压时,二极管就导通
B.二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C.二极管的正向导通压降,硅管比锗管高
D.同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小
A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。
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