题目内容
（请给出正确答案）
A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B.用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C.打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形
D.禁止使用橡皮轮磨光
E.用50～100μm的氧化铝喷砂
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A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B.用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C.打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形
D.禁止使用橡皮轮磨光
E.用50～100pm的氧化铝喷砂
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50～100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
PFM冠金属基底上瓷前用橡皮轮打磨可引起
A.PFM冠金属基底变形，冠边缘不密合
B.PFM冠变色
C.PFM冠瓷裂
D.PFM冠金属基底不能产生均一厚度的氧化膜
E.PFM冠透明度下降
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因的是
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混入杂质
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因()。
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混人杂质
A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物
B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物
C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形
D、使用橡皮轮磨光金属表面
E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C.非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D.非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E.理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B. 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C. 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D. 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E. 理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
PFM冠牙本质、切端层出现一小气泡的最佳处理方法
A、从基底冠开始，重新制作
B、去除整个瓷面，基底冠处理后重新上瓷
C、切瓷，清洁后重新构筑体瓷、切瓷
D、切瓷与修补瓷的混合瓷，进炉烧烤
E、增高温度，再进炉烧烤
PFM冠制作时，为增强金瓷结合，可采用的方法，除了
A．金属基底冠表面喷砂
B．金属基底冠超声清洗
C．金属基底冠电解蚀刻
D．金属基底冠除气处理
E．金属基底冠表面预氧化
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