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提问人:网友anonymity
发布时间:2022-01-06
[主观题]
一均匀平面波自特征阻抗为η的电介质垂直入射到电导率为σ、μr=1的良好导体平面上,试证明透入导体内部的功率流
一均匀平面波自特征阻抗为η的电介质垂直入射到电导率为σ、μr=1的良好导体平面上,试证明透入导体内部的功率流密度与入射功率流密度之比近似等于4RS/η。
[提示:将η2=(1+j)Rs代入反射系数中]
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一均匀平面波自特征阻抗为η的电介质垂直入射到电导率为σ、μr=1的良好导体平面上,试证明透入导体内部的功率流密度与入射功率流密度之比近似等于4RS/η。
[提示:将η2=(1+j)Rs代入反射系数中]
E=E(z)e-iωtex,H=H(z)e-iωtey
已知介质中无净电荷(即ρ=0),证明:介质的波阻抗
(1)求相位常数β和t=3ms时,H.=0的位置;
(2)求电场强度的瞬时表达式E(y,t).
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