题目内容
（请给出正确答案）
A.基极
B. 集电极
C. 发射极
D. 发射极或集电极
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A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
A、（a）等效为NPN型管，引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E； （b）等效为N沟道增强型MOS管，引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
B、（a）等效为PNP型管，引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E； （b）等效为N沟道增强型MOS管，引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
C、（a）等效为PNP型管，引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E； （b）等效为N耗尽增强型MOS管，引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
D、（a）等效为NPN型管，引脚1、2、3分别对应基极B、集电极C和发射极E； （b）等效为P沟道增强型MOS管，引脚1、2、3分别对应栅极G、漏极D和源S。
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