题目内容
（请给出正确答案）
A.⑴⑵⑷
B.⑵⑶⑷
C.⑴⑶⑷
D.⑴⑵⑶⑷
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更多“下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底…”相关的问题
A.可通过真空石英钟形容器实现热隔绝。
B.衬底的放置方式可以是纵向后者横向。
C.通过增加反应气体在所有气体中的分压，可以增加生长速率。
D.在此技术中，所制备薄膜的缺陷密度受生长速率影响不大。
A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B. 生长的二氧化硅干燥
C. 生长的二氧化硅结构致密
D. 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E. 生长的二氧化硅掩蔽能力强
A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
耐盐菌是指
A、只能在无盐培养基上生长的细菌
B、只能在高盐培养基上生长的细菌
C、无盐培养基上均能生长的细菌
D、无盐培养基上均不能生长的细菌
E、低盐、无盐培养基上均不能生长的细菌
下列关于衣原体的叙述，不正确的是（）
A、能通过滤器
B、在人工培养基上可生长
C、只能在细胞内生长
D、革兰染色阴性
E、具有细胞壁
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