工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）

A.直拉法（CZ）

B.悬浮区熔法（FZ）

C.蒸发

D.溅射

A.直拉法

B.悬浮区熔法

C.四探针法

D.范德堡法

A.硅带法

B. 区熔法

C. 直拉单晶法

D. 磁拉法

A.悬浮区熔法

B.氧化法

C.还原法

D.直拉法

此题为判断题(对，错)。

A.高均匀

B.高不均匀

C.低均匀

D.低不均匀

区熔法制备单晶硅时，需要（)。

A、需要一个石墨坩埚

B、不需要坩埚

C、需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚

D、需要一个石英坩埚用于溶化

A.三氯氢硅的氢还原法

B.直拉法

C.区熔法

D.沉积法

膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且生产成本低，应用广泛。()