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提问人：网友WSWARREN76
发布时间：2022-01-07
[主观题]
如果一个MOS管的VDS为9V，VGS为5V，阈值电压 为1V，说明该MOS管工作在饱和状态
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第5题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。
A.为P沟道增强型MOS管，Up=1V
B.为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V
C.为N沟道增强型MOS管，UT=1V
D.为P沟道结型场效应管，Up=1V
第6题
已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构
D.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
第9题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.预夹断临界点
B.饱和区（恒流区、放大工作区）
C.可变电阻区
D.截止区
