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提问人：网友文旻昊发布时间：2022-01-07

[单选题]

光刻技术中的显影方式有（)。

A.扫描显影

B.喷射显影

C.沉浸显影

D.高压方式下显影

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ABCD

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第1题

光刻技术的原理和印刷的照相制版相似,即在硅基材料上涂覆光刻胶,接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模,对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后,在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形,再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题

光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

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第3题

PS版分辨率跟（）关系最大。

A. 显影时间

B. 显影温度

C. 曝光时间

D. 电解粗化

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第4题

根据溶解性的变化，光刻胶分为哪几类？他们的原理和特点是什么？

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第5题

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶

B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶

C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶

D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

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第6题

Southern印迹法中使用的技术有（）。

A.凝胶电泳

B.核酸杂交

C.放射自显影

D.氨基酸自动序列分析

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第7题

照像显影配方中的显影剂一般是()。

A.氧化剂

B.还原剂

C.脱水剂

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第8题

光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（）。

A、正性光刻胶

B、正性或负性光刻胶

C、负性光刻胶

D、电子束光刻胶

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第9题

在一些需要多层金属层的VLSI工艺中，大多数半导体产商应用哪种金属作为上下金属层间的中间金属连接物。（）

A、钛

B、铝

C、铜

D、钨

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第10题

二氧化硅热氧化有多种方式，下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是（）。

A、湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率

B、水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率

C、干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率

D、水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率

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