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一个n型锗样品，电阻率ρ=10Ω·cm。设复合中心能级Et在价带顶之上0.22eV处，τn=100μs，τp=10μs，求室温下样品的寿命τ(设Nc≈Nv=1019cm-3)。
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一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下
VR(V) | 0 | 0.5 | 1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 |
CT(pF) | 20 | 17.3 | 15.6 | 14.3 | 13.3 | 12.4 | 11.6 |
pn结面积A=4×10-4cm2，试求该p+n结的内建电场VD和ND。
空穴浓度为1016cm-3的p型硅，冷端温度为0℃，热端温度为50℃，设其为长声学波散射，试求温差电动势。
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