下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()。
A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关
D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关
D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
A.①缺陷方向和磁力线平行时,漏磁场最大
B.②漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C.③漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关
D.④工件表层下,随缺陷的深度增加而增加
A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B、漏磁场的大小与工件的材质无关
C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关
D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关
D、工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于漏磁场的叙述,正确的是:()
A.内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B.缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C.表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降
D.有缺陷的试件,才会产生漏磁场
A.在非漏磁场的作用下产生的磁痕,一般称为假磁痕
B.表面裂纹所形成的磁痕一般是很清晰而明显的
C.由于被磁化的试件相互接触造成的局部磁场畸变而产生的磁痕称为磁写
D.其它三项所述都是
A.缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B.漏磁场的大小与工件的材质无关
C.漏磁场的大小与缺陷的深度比有关
D.工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
A.内壁缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B.缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C.表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降
D.有缺陷的试件,才会产生漏磁场
A.缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B.漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C.漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关
D.工件表层下,缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而减小
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