题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友justrain
发布时间:2022-01-07
[主观题]
在Θ调制实验中用到的Θ调制板,实际上就是一个()。
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A、这是单轴晶体的锥光干涉图样。
B、这是双轴晶体的锥光干涉图样。
C、图中十字方向对应于两个偏振片的偏振轴方向。
D、图中干涉图样的中心与光点位置重合,对应着晶体光轴方向。
A、第一幅图是未加偏压时,呈现单轴晶体的锥光干涉图形。
B、第二幅图是加上直流偏压时,呈现双轴晶体的锥光干涉图样,说明单轴晶体在电场的作用下变成了双轴晶体,产生电光效应。
C、从第二张图片到第三张图片所呈现的干涉图样,可以通过改变两个偏振片的方向来实现。
D、从第二张图片到第三张图片所呈现的干涉图样,可以通过改变外加电场的电场强度来实现。
【多选题】电场引起的晶体折射率的变化可以表示为以下对式中等号后面第二的描述中正确的是( )。
A、表示不加电场时晶体的折射率
B、电场的一次项所引起的晶体折射率变化效应
C、一次电光效应
D、线性电光效应
【判断题】通常将电场引起的晶体折射率的变化表示为其中等号后第三项给出的是晶体的折射率受电场强度的二次项所引起的变化,称为二次电光效应。
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