电子和空穴的准费米能级间的能量差反应的是系统（）的程度

B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小

F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态

B、费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况

C、费米能级标志着电子填充能级的水平

D、费米能级是导带和价带的一个分界线

E、费米能级标志着电子填充导带的水平

F、费米能级标志着电子填充价带的水平

G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级

此题为判断题(对，错)。

B、本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C、N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D、N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

(1)一块硅样品，N_d=10¹⁵cm^-3，τ_p=1μs，光照产生率G_L=5×10¹⁹cm^-3·s^-1，计算它的电导率和准费米能级．

(2)求产生的空穴浓度为10¹⁵cm^-3的G_L值，它的电导率和费米能级是多少？

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动

A、从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级

B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近

C、费米能级一直随温度升高而降低

D、费米能级一直随温度升高而增大

E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动

F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动