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提问人：网友CYH2021 发布时间：2022-01-07

[判断题]

上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。（)

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第1题

关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()

A、上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B、在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C、MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D、在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第2题

兰膜上有硅潭渣入背崩残留不用反馈。()

此题为判断题(对，错)。

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第3题

A. 瞳孔不等大，对光反射迟钝

B. 深昏迷，呼吸不规则

C. 血压升高，皮肤有瘀点、瘀斑

D. 单侧肢体肌张力增高

E. 颈有抵抗，神经系统检查异常

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第4题

A、常为阑尾穿孔致腹膜炎和胃肠手术后感染的病原菌

B、为革兰染色阴性的需氧菌

C、多存在于结肠内

D、为革兰染色阴性的厌氧菌

E、常与其他细菌形成混合感染，脓有恶臭味

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第5题

粘片胶覆盖率小于芯片周长的75%为不良。()

此题为判断题(对，错)。

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第6题

在大于40倍的显微镜下观察,胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。()

此题为判断题(对，错)。

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第7题

产品烘烤后转序前由配料员核对流程卡、传递框号及小盒号,确保卡物相符。()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

8200T/S502为导电胶。()

此题为判断题(对，错)。

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第9题

无尘室内要求现场清洁明亮,物料整齐有序。()

此题为判断题(对，错)。

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