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提问人：网友陈银桑发布时间：2022-01-07

[单选题]

下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流（）。

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

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ABCD

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第1题

下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅（）。

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

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第2题

以下电极名称哪一个不属于MOS器件（）

A.漏极

B.源极

C.基极

D.背栅极

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第3题

影响阈值电压的因素不包括以下哪一个？

A.衬底的掺杂浓度

B.二氧化硅中的电荷数量及性质

C.栅氧化层厚度

D.栅极、源极、漏极电压

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第4题

场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

A.原极；

B.漏极；

C.栅极；

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第5题

题2-2-3、下列说法正确的是（）。

A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。

B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。

C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。

D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

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第6题

MOS场效应管结构包括（）。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第7题

a-Si技术TFT指的是TFT中哪一层用的非晶硅材料？

A.栅极（Gate）

B.源极（Source）

C.漏极（Drain）

D.栅极绝缘层

E.半导体活性层

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第8题

题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。

A.栅极氧化层电容

B.耗尽层电容

C.源漏交叠电容

D.结电容

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第9题

如果MOS管的衬底在管内不与源极预先接在一起，则之间可以互换。

A.栅极与源极

B.栅极与漏极

C.源极与漏极

D.栅极与衬底

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第10题

MOS管主要由以下组成

A.栅极

B.漏极

C.源极

D.基极

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