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提问人:网友hukoucmq 发布时间:2022-01-07
[单选题]

外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp高()。

A.V

B.Vbi-V

C.q(Vbi-V)

D.qV

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第1题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()
A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

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第2题
稳压管稳压电路如图所示,其中[图],[图],且具有理想特...

稳压管稳压电路如图所示,其中,且具有理想特性。由此可知输出电压为 。

A、0

B、6V

C、1V

D、7V

点击查看答案
第3题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()
A、少子反型

B、多子积累

C、多子耗尽

D、本征状态

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第4题
带传动中,V带比平带传动能力大,主要因为前者()

A. 强度高

B. 尺寸小

C. 接触面上的正压力大

D. 没有接头

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第5题
采用多级压缩、级间冷却可以有效降低压气机的耗功量。
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第6题
题目难度为0.5时,题目的区分度最高
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第7题
【判断题】电压频率变换型A/D转换器简称为V-F型A/D转换器,它是一种间接A/D转换器。
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第8题
当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏 PN 结的( )中。

A、中性区

B、欧姆电极

C、耗尽区

D、扩散区

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第9题
写出下肢的实际解剖操作中,你作为主刀或助手进行的哪一部分的操作?该部分的主要层次和解剖结构有哪些?在操作过程中遇到了哪些困难?
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第10题
手绘颅底内面观图,并标出穿经颅底的重要结构。
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