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提问人：网友ava2517 发布时间：2022-01-07

[主观题]

【单选题】BJT集电结发生击穿的主要类型是:（)

A、齐纳击穿

B、雪崩击穿

C、热击穿

简答题官方参考答案（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）

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第1题

为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题

通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（）。

A、正比

B、反比

C、正相关

D、负相关

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第3题

电介质击穿时，相应的临界称为介电强度。

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第4题

使电介质发生击穿的最低电压称为击穿电压。

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第5题

对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）

A. 放大状态

B. 截止状态

C. 饱和状态

D. 无法确定

E. 导通状态

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第6题

图示电路中，二极管、三极管均为硅管，则三极管处在（）

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、状态不能确定

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第7题

下图所示三极管的工作状态为（）。 [图]A、饱和B、放大C、...

下图所示三极管的工作状态为（）。

A、饱和

B、放大

C、截止

D、正偏

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第8题

PN结的反向击穿中，（）是可逆的。

A、热击穿

B、电击穿

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第9题

BJT三极管与FET三极管相比（）

A. 二者输入电阻均很大

B. 二者输入电阻均很小

C. 前者的输入电阻较小，后者的输入电阻甚大

D. 前者的输入电阻甚大，后者的输入电阻较小

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第10题

下列关于PN结隧道击穿的说法中,错误的是()。

A、势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B、隧道击穿也称齐纳击穿

C、隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D、隧道击穿的击穿电压温度系数为负

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