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提问人：网友call400
发布时间：2022-01-07
[主观题]
什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型...
什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型半导体的电子和空穴浓度，以及P型半导体的电子和空穴浓度
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第2题
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子
B.施主杂质电离后，电离中心带正电
C.施主杂质是一种间隙式杂质
D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
第5题
如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp
时，受主杂质（）
时，受主杂质（）
第9题
对于只含一种杂质的n型半导体，以下论述正确的是
A.其费米能级与杂质浓度和温度有关
B.300K下，90%的杂质能否电离与杂质电离能和杂质浓度有关
C.温度越高，费米能级越接近导带极值
D.杂质浓度越大，半导体进入本征区的温度越高
E.在饱和区，少子浓度基本不随温度变化
