关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.探测器有
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是
A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线
B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种
C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关
D.探测器置于屏-片体系之前还是之后,效果不一样
E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是
A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线
B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种
C.AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关
D.探测器置于屏-片体系之前还是之后,效果不一样
E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是
A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线
B.探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C,AEC的管电压特性与所用屏一片体系的管电压特性有关
C.探测器置于屏一片体系之前还是之后,效果不一样
D.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是
A、被照体很薄时,AEC也可立即切断X线
B、半导体、荧光体3种
C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D、探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样
E、形状、数量应根据摄影部位选择
A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线
B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种
C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D.探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样
E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光控制(AEC)的解释,错误的是
A、根据被照体厚薄预先确定曝光量
B、有电离室式探测器
C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关
D、有半导体式探测器
E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
A.根据被检体厚薄预先确定曝光量
B.有电离室式探测器
C.AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关
D.有半导体式探测器
E.探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
A.选用150kV管电压的X线机
B.选用低栅比滤线器
C.选用密纹滤线栅
D.可用空气间隙效应代替滤线栅
E.采用自动曝光控制(AEC)
A. 有光电管自动曝光控制
B. 有电离室自动曝光控制
C. 光电管自动曝光控制的基础是荧光效应
D. 电离室自动曝光控制的基础是电离效应
E. -DSA检查一般选择手动曝光条件
A.管电压取70~80kVp
B.滤线栅取10:1以上的栅比
C.选用大宽容度屏/片组合,相对感度400
D.X线管总滤过不低于3.0mm A1
E.采用自动曝光控制(AEC)
A.滤线栅:(一)
B.屏/片体系感度:标称感度200
C.摄影距离:100~120cm
D.自动曝光控制:()
E.曝光时间:<200ms
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