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表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
A.分凝度
B. 固溶度
C. 分凝系数
D. 扩散系数
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A.分凝度
B. 固溶度
C. 分凝系数
D. 扩散系数
A、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
A.该方法适合于二氧化硅含量大于95%硅质耐火材料分析
B.样品挥硅前需要经过高温灼烧,主要是为了消除样品中水分和有机物的干扰
C.由于样品挥硅后残渣变为盐类物质,引起检测结果偏高,属于系统误差
D.样品中二氧化硅含量越高,杂质越少,检测数据准确度越高
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